Артикул: MZ-N5E1T0BW
10 200 грн.
| Производитель | Samsung |
| Объем памяти | 1 TB |
| Страна производства | Южная Корея |
| Скорость записи, макс. | 520Mb/s (SATA 6 Gb/s) |
| Скорость чтения, макс. | 540Mb/s (SATA 6 Gb/s) |
| Форм-фактор | M.2 |
| Интерфейс | SATA 6Gb/s |
| Назначение | для компьютера, для ноутбука |
| Тип флеш-памяти | VNAND |
| Модель | M.2 2280 1TB |
| Артикул | MZ-N5E1T0BW |
| Гарантия, мес | 60 |
| Серия | 850 EVO |
| Энергопотребление | рабочее: 2.7 Вт, ожидание: 0.6 Вт |
| Наработка на отказ | 1.5 млн.часов |
| Объём памяти | 1 TB |
Накопитель SSD M.2 2280 1TB Samsung (MZ-N5E1T0BW)
Благодаря новейшей технологии Samsung 3D V-NAND, SSD-накопители серии 850 Evo сочетают большой объем и великолепную надежность с непревзойденной скоростью передачи данных и при последовательном, и при случайного доступе к ним.
3D V-NAND
SSD-накопители Samsung изготавливаются с использованием инновационной архитектуры 3D V-NAND, в которой ячейки имеют цилиндрическую форму, устраняющую взаимные помехи, а увеличение емкости достигается за счет расположения их в несколько слоев — без ущерба для надежности хранения данных и скорости работы. Чипы памяти в накопителях серии 850 Evo имеют 32 слоя ячеек, расположенных друг над другом. Такая конструкция позволяет создать память, одновременно емкую, быструю и надежную, преодолев все основные недостатки традиционной планарной NAND-архитектуры.
Добавить отзыв